随着“双碳”目标持续推进,节能降碳已经成为大势所趋,国内功率半导体积极布局低碳产品线,不断加大低碳类项目投入,深化低碳芯片研发及产业化,助力“双碳”目标早日实现。

在众多产品中,宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。虽然当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高,但综合来看,应用宽禁带半导体器件将给系统带来巨大的综合收益。

面对新的增长机遇,华微电子牢牢抓住机会,坚定不移地走“低碳”路线,努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。目前,华微电子宽禁带产品生产研发势头强劲。

众所周知,宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点,特别是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的材料具有更高的电子迁移率,使得器件具有低的导通电阻、高的工作频率,能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。

在GaN(氮化镓)器件方面,华微电子已开发出650V功率器件,用于消费类电源领域。对于SiC(碳化硅)器件,华微电子已经完成650V~1200VSiC二极管的开发,产品处于量产阶段;同时正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推广,向汽车充电桩、汽车OBC(车载充电器)和光伏储能领域进行推广。

华微电子将在未来的工作中继续大力发展宽禁带半导体,全力迎接低碳赛道的各项挑战。

据了解,吉林华微电子股份有限公司是一家集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。公司历经50多年的成长与积淀,已经探索出一条具有华微特色的技术创新路线。近年来,公司通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级换代,形成了独特的核心竞争能力,拥有各项专利技术百余项,核心Knowhow技术百余项。成为国内第一批将 MOSFET、FRD、IGBT 产业化的半导体分立器件制造企业,带动了国内功率半导体分立器件产业整体发展水平。目前,公司IGBT及功率模块、MOSFET、FRD、SBD产品性能达到国际先进水平,广泛应用于工业控制、光伏及储能、汽车电子、智能家居等领域,产品销售额居于国内企业前列。