随着“双碳”目标持续推进，节能降碳已经成为大势所趋，国内功率半导体积极布局低碳产品线，不断加大低碳类项目投入，深化低碳芯片研发及产业化，助力“双碳”目标早日实现。
在众多产品中，宽禁带半导体被认为是具有广阔发展前景的市场。虽然当前碳化硅、氮化镓器件相较于硅器件的价格仍较高，但综合来看，应用宽禁带半导体器件将给系统带来巨大的综合收益。
面对新的增长机遇，华微电子牢牢抓住机会，坚定不移地走“低碳”路线，努力为其发展铺就一条硬科技绿色通道。目前，华微电子宽禁带产品生产研发势头强劲。
众所周知，宽禁带半导体具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等特点，特别是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)的材料具有更高的电子迁移率，使得器件具有低的导通电阻、高的工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。
在GaN(氮化镓)器件方面，华微电子已开发出650V功率器件，用于消费类电源领域。对于SiC(碳化硅)器件，华微电子已经完成650V～1200VSiC二极管的开发，产品处于量产阶段；同时正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推广，向汽车充电桩、汽车OBC(车载充电器)和光伏储能领域进行推广。
华微电子将在未来的工作中继续大力发展宽禁带半导体，全力迎接低碳赛道的各项挑战。
据了解，吉林华微电子股份有限公司是一家集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。公司历经50多年的成长与积淀，已经探索出一条具有华微特色的技术创新路线。近年来，公司通过自主创新、产学研合作、引进消化吸收等多种形式使产品技术不断升级换代，形成了独特的核心竞争能力，拥有各项专利技术百余项，核心Knowhow技术百余项。成为国内第一批将 MOSFET、FRD、IGBT 产业化的半导体分立器件制造企业，带动了国内功率半导体分立器件产业整体发展水平。目前，公司IGBT及功率模块、MOSFET、FRD、SBD产品性能达到国际先进水平，广泛应用于工业控制、光伏及储能、汽车电子、智能家居等领域，产品销售额居于国内企业前列。
