8月8日，在成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目（以下简称“芯未项目”）的施工现场，成都高投芯未半导体有限公司负责人一次性领取了《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》以及《不动产权证书》“四证”，项目随即启动快速建设工作，预计明年8月即可建成投产。

　　记者了解到，工业项目从拿地到动工建设一般需花费约150个自然日，“芯未项目”则用时不到5个工作日，全面刷新了拿地建设时间纪录。

　　深化“标准地”改革，推行“拿地即开工”营商环境优化，这是成都高新区当前正全力推进的一项重要工作，“芯未项目”作为有效支撑产业建圈强链的一个缩影，将为后续项目快速落地提供宝贵经验。

　　资料显示，成都高投芯未半导体有限公司，是成都高新投资集团有限公司与成都森未科技有限公司合资设立的法人企业，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售，是我国IGBT芯片领域的重要创新力量。

　　“在国家出台系列政策支持半导体产业发展的大背景下，以IGBT为代表的功率半导体行业市场迎来了广阔的发展前景。”成都高投芯未半导体有限公司相关负责人介绍，项目总投资约10亿元，建成投产后将为包括森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等，预计有望实现年营收9亿元、年税收7000万元。

　　同时，成都高新西区发展建设指挥部坚持以建设全面体现新发展理念的公园城市示范区为引领，划定25平方公里重点片区打造公园城市智造发展示范区，瞄准打造‘集成电路+新型显示’世界级电子信息产业集群，建设智造发展示范区，力争电子信息产业产值突破1万亿元，推动成都高新西区从传统工业园区向公园城市智造发展示范区转变。